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ICS29.045（ICS国际标准分类号）
H80/84（中国标准文献分类）
团体标准
T/IAWBS×××-×××
代替T/IAWBS（替代号）
碳化硅晶片边缘轮廓检验方法
Testmethodsforedgecontourofsilicon
carbidewafers
征求意见稿
××××-××-××发布××××-××-××实施
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布
T/IAWBSXXX—XXXX
碳化硅晶片边缘轮廓检验方法
1范围
本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓（包含切口）的检验方法。
本文件适用于检验倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓（包含切口），其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照
本标准执行。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文
件。
GB/T14264半导体材料术语
3术语和定义
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。
4方法提要
将碳化硅晶片放置在光源下，光源照在碳化硅晶片边缘，CCD相机将碳化硅晶片边缘（不包括参考
面）或切口的轮廓形状的图像导入电脑，进行二值化（即将图像上的像素点的灰度值设置为0或255，将整
个图像呈现出明显的黑白效果的过程）处理后，通过曲率及直线切点计算得出边缘轮廓长度。
5干扰因素
5.1空间中肉眼可见的颗粒、已倒角碳化硅晶片边缘的表面大颗粒，会掩盖晶片的轮廓形状，对测试结
果产生误差，因此应保证洁净的环境。
5.2碳化硅晶片的平整度会对测试结果产生误差。
5.3碳化硅晶片边缘厚度的变化会对测试结果有影响，因此应保证晶片边缘厚度均匀。
6仪器设备
轮廓仪一般由光源、CCD相机、载物台及数据分析系统等部分组成。
6.1光源：提供边缘轮廓的光照亮度；
6.2CCD相机：在2倍/4倍镜头下采集碳化硅晶片边缘轮廓（切口）形貌，2倍镜头测晶片厚度范围
400～1400um，4倍镜头测量晶片厚度范围200~500um。
6.3载物台：它是支撑测量碳化硅晶片的平台，通过旋转载物台旋钮可以测量边缘不同位置。
6.4数据分析系统：图像二值化处理后，提取边缘轮廓（切口）形貌，通过曲率及直线切点计算得出边
缘轮廓长度。
7试样
碳化硅晶片测试前应经过倒角，且边缘清洁、干燥。
8测试程序
1
T/IAWBSXXX—XXXX
8.1校准
使用校正样块对设备进行校准，校正样块只校准厚度，所测得的校准样块与标准值的差在标准误差范
围（≤1μm）。
8.2测量
8.2.1根据晶片尺寸调整载物台导柱位置，并将碳化硅晶片按照Si面朝上放置在载物台上。
8.2.2根据晶片类型及测试要求，选择CCD相机类型（Edge相机和Notch相机）及磨石样式（T型磨石
和R型磨石）；
8.2.3根据CCD相机提取静止图像并进行二值化图像处理，开始测量。边缘轮廓形状和测试结果会显示
在显示屏上，并根据需要可以打印。该方法可以测试R型（见图1）、T型（见图2）、切口（见图3）
等的轮廓形状。
其中：
A1、A2、B1、B2——轮廓长度；
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