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一种用热等静压烧结制备IGBT陶瓷覆铜基板的方法.pdfVIP

一种用热等静压烧结制备IGBT陶瓷覆铜基板的方法.pdf

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    本发明属于活性金属钎焊领域，公开了一种用热等静压烧结制备IGBT陶瓷覆铜基板的方法。本发明通过限定具体条件下添加活性金属钎料使陶瓷与铜结合，能够有效改善陶瓷与铜结合的润湿性能，并采用热压烧结炉进行真空包套及热等静压烧结工艺实现陶瓷与金属铜之间的高强度紧密连接，可以有效解决陶瓷覆铜基板在大功率半导体器件中的结合强度低等问题。解决制备陶瓷覆铜基板步骤繁琐，耗时较长的问题。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117342883A

    (43)申请公布日2024.01.05

    (21)申请号202311298648.7

    (22)申请日2023.10.09

    (71)申请人大连大学

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