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半导体器件终端结构、制备方法及半导体器件.pdfVIP

半导体器件终端结构、制备方法及半导体器件.pdf

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    本发明涉及一种半导体器件终端结构、制备方法及半导体器件，该终端结构包括：漏极电极，位于漏极电极上的衬底，位于衬底上的外延层，位于外延层上的金属场板和钝化层；外延层远离衬底一侧的两端还分别设置有主结区和截止环，主结区和截止环之间的外延层内沿外延层的竖向依次设置至少两层场限环结构，每层场限环结构均包括沿外延层横向分布的至少一个场限环，靠近衬底的场限环结构中场限环的数量小于靠近金属场板的场限环结构中场限环的数量且每层场限环结构最外侧的场限环沿衬底至金属场板的方向呈阶梯状设置；钝化层从主结区起覆盖至截止

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117374099A

    (43)申请公布日2024.01.09

    (21)申请号202210763328.3

    (22)申请日2022.06.30

    (71)申请人比亚迪半导体股份有限公司

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