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TiO2基阻变存储器的γ射线、质子、重离子辐照损伤研究.pdfVIP

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  • 2024-01-13 发布于江苏
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TiO2基阻变存储器的γ射线、质子、重离子辐照损伤研究.pdf

    摘要

    摘要

    二元金属氧化物基阻变存储器具有简单的“上电极/阻变层/下电极”三明治结构，基

    于阻变层中氧缺陷组成的导电细丝连通/断开上下电极实现数据存储，展示出高密度、

    高速度、低功耗及抗辐照的性能优势，被认为是最有前景的下一代非挥发性存储器之一。

    然而，辐照会诱导新的氧缺陷，且氧缺陷在电场作用下可移动，进而导致氧缺陷的重新

    分布，最终影响高低阻态、操作电压等性能。本文以TiO2基阻变存储器为对象，研究

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