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纳米尺度CMOS新器件关键工艺研究的开题报告

开题报告：纳米尺度CMOS新器件关键工艺研究

一、研究背景

随着信息科技的进步，人们对于微电子器件的要求不断提高，因此不断推动微电子芯片尺寸的缩小。现代微电子芯片的制造已经迈向了纳米尺度的领域。CMOS(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor,互补金属氧化物半导体)芯片是目前最主流的微电子芯片，具有功耗低、速度快等优势。但是，随着CMOS芯片的不断缩小，特别是在纳米尺度下，器件的制造工艺变得更加复杂，且面临着诸多挑战，如热效应增强、量子隧道效应、布尔-州尔效应等，这些效应将使芯片的可靠性、功率和性能受到严重的限制。因此，研发适合于纳米尺度CMOS新器件的制造工艺已成为当前微电子领域的热点问题。

二、研究目的和意义

本课题旨在研究纳米尺度CMOS新器件中的关键工艺，力图解决器件制造过程中的诸多问题，进一步提高CMOS芯片的性能、可靠性和制造效率。同时，该研究将为我国微电子产业的发展提供参考和指导，有助于提升我国微电子产业的核心竞争力。

三、研究内容

1、纳米尺度CMOS新器件的制造工艺

2、纳米尺度下的器件结构和电学特性研究

3、偏置预测技术和CMOS器件在纳米尺度下的热噪声特性研究

四、研究方法

本研究主要采用理论模拟和实验研究相结合的方法，对纳米尺度CMOS新器件的制造工艺、结构、电学特性等进行探究。具体拉温度对CMOS器件制造工艺所带来的影响、局部热红外显微镜（PLIR）技术的应用、薄膜的生长和表征探测等方面。

五、研究时间安排

学期研究内容

2021.1-2021.2调研纳米尺度CMOS新器件制造工艺及相关研究进展

2021.3-2021.5实验研究：纳米尺度CMOS新器件的制造工艺和结构

2021.6-2021.8研究并分析器件的电学性质和性能

2021.9-2021.12完成文献综述和理论模拟，并撰写毕业论文

六、研究预期成果

本项目的研究成果预计能够针对纳米尺度CMOS新器件中的关键工艺及电性能问题，提供相关解决方案，进一步推动微电子芯片的制造技术的进一步进步。同时，该研究可为相关领域提供参考和借鉴。