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本发明公开一种抗辐射trench型MOSFET的制造方法，属于半导体功率器件领域，主要工艺特征有：阱区注入在沟槽刻蚀前，利用源极沟槽的牺牲氧化工艺的热过程对阱区进行推结处理，避免栅氧工艺后有高温热过程，提升产品的抗总剂量性能；利用两次沟槽刻蚀，其中源极沟槽对外延层调制，实现降低导通电阻，栅极沟槽实现对沟道控制；对栅沟槽底部进行局部氧化加厚，增加器件抗单粒子栅穿的能力。本发明通过优化工艺步骤和工艺流程，在工艺难度和制造成本增加有限的情况下，可以实现加工出具有抗辐射特性trench型MOSFET产品
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117410183A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202311456335.X
(22)申请日2023.11.03
(71)申请人中国电子科技集团
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