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2024-01-17 发布于四川
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本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括依次层叠的第一型半导体层、有源层、电子阻挡层和第二型半导体层，考虑到有源层中AlGaInP势垒层和GaInP势阱层构成的异质结的导带带阶很小，导致有源层中的电子容易外溢，因此，在有源层和第二型半导体层之间增加电子阻挡层，且电子阻挡层形成于有源层背离第一型半导体层的表面，电子阻挡层可以为单层电子阻挡层或超晶格电子阻挡层，用于阻挡有源层中的电子溢出，进而提高有源层的内量子效率，提升LED芯片亮度。尤其是当电子阻挡层为超晶格电子阻挡层时，应力得到

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117410412A

(43)申请公布日2024.01.16

(21)申请号202311630168.6

(22)申请日2023.11.30

(71)申请人江西乾照半导体科技有限公司

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