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一种硫掺杂石墨相氮化碳薄膜的制备方法和应用.pdfVIP

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  • 2024-01-17 发布于四川
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一种硫掺杂石墨相氮化碳薄膜的制备方法和应用.pdf

    本发明提供一种硫掺杂石墨相氮化碳薄膜的制备方法和应用。本发明所述制备方法包括以下步骤：将预热解块体和硫脲混合研磨，得到混合共前驱体，然后进行煅烧，得到硫掺杂石墨相氮化碳薄膜。所述预热解块体和硫脲的质量比为(5～40)：(1～4)。本发明还提供一种薄膜异质结紫外探测器，包括上述制备方法制得的硫掺杂g‑C3N4薄膜。所述薄膜异质结紫外探测器包括：衬底层、非故意掺杂半导体层、掺杂半导体层和电极接触层；所述掺杂半导体层为硫掺杂g‑C3N4薄膜。本发明利用硫掺杂g‑C3N4薄膜和GaN薄膜构建异质结，所制

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117401656A

    (43)申请公布日2024.01.16

    (21)申请号202311152847.7

    (22)申请日2023.09.07

    (71)申请人五邑大学

    地址529

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