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微纳光电子练习题

一、简答题:

1.套准精度的定义，套准容差的定义.大约关键尺寸的多少是

套准容差.

套准精度是测量对准系统把版图套准到硅片上图形的能力。

套准容差描述要形成图形层和前层的最大相对位移.

一般,套准容差大约是关键尺寸的三分之一。

2。亚波长结构的光学特性.

亚波长结构的光学特性:

——光波通过亚波长结构时，光的衍射消失,仅产生零级反射和透

射，等效为薄膜，可用于抗反射元件和双折射元件;

——采用空间连续变化的亚波长结构可获得偏振面的衍射，形成新

型偏振器件；

——表面等离子波亚波长光学利用表面等离子体波共振（SPR）原

理：波导，小孔增强,局域增强等

4.微电子的发展的摩尔定律是什么？何谓后摩尔定律？

集成电路芯片的集成度每三年提高4倍,而加工特征尺寸缩小

倍,这就是摩尔定律

5。单晶、多晶和非晶的特点各是什么？

单晶：几乎所有的原子都占据着安排良好的规则的位置，即晶格位

置；——有源器件的衬底

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微纳光电子练习题

非晶:如SiO,原子不具有长程有序，其中的化学键，键长和方向在

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一定的范围内变化;

多晶：是彼此间随机取向的小单晶的聚集体，在工艺过程中，小单

晶的晶胞大小和取向会时常发生变化，有时在电路工作期间也发生变

化.

6。半导体是导电能力介于___导体_____和___绝缘体_____之间

的物质；当受外界光和热作用时，半导体的导电能力___明显变

化______;_______往纯净的半导体中掺入某些杂质_______可以

使半导体的导电能力发生数量级的变化。

7。在光滑的金属和空气界面，为什么不能激发表面等离子体波?

对于光滑的金属表面，因为表面等离子体波的波矢大于光波的波矢,

所以不能激发表面等离子体波.

8。磁控溅射镀膜工艺中，加磁场的主要目的是什么？

将电子约束在靶材料表面附近，延长其在等离子体中运动的轨迹，提

高与气体分子碰撞和电离的几率

9。谐衍射光学元件的优点是什么？

高衍射效率、优良的色散功能、减小微细加工的难度、独特的光学

功能

10。描述曝光波长与图像分辨率的关系,提高图像分辨率，有哪

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些方法？

K1isthesystemconstant工艺因子：0。6～0.8

NA=2ro/D，数值孔径

改进分辨率的方法

增加NA减小波长减小K1

11.什么是等离子体去胶，去胶机的目的是什么？

氧气在强电场作用下电离产生的活性氧,使光刻胶氧化而成为可

挥发的CO2、H2O及其他气体而被带走;

目的是去除光刻后残留的聚合物

12.硅槽干法刻蚀过程中侧壁是如何被保护而不被横向刻蚀的?

通过控制F/C的比例，形成聚合物，在侧壁上生成抗腐蚀膜

13。折衍混合光学的特点是什么？

折衍混杂的光学系统能突破传统光学系统的许多局限，在改善系

统成像质量减小系统体积和质量等诸多方面表现出传统光学不可比

拟的优势

14.刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。

干法刻蚀：在气态等离子体中，通过发生物理或化学作用进行刻蚀

湿法刻蚀：采用液体腐蚀剂，通过溶液和薄膜间得化学反应就能够将

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暴露得材料腐蚀掉

15。微纳结构光学涉及三个理论领域,其中标量衍射理论适用于

设计___d=10λ___的微纳光学器件；矢量衍射理论适用于设

计___d～λ__的微纳光学器件；等效介质折射理论适用于设计

__d〈=λ/10__的微纳光学器件.

16．在紫外光刻中，正性光刻胶曝光后显影时将被__溶解___，

负性光刻胶曝光后显影时将被__保留下来__。

17。光刻中，g线波长是指_436_nm,i线是指_365_nm.

18．干法刻蚀中的负载效应是指__刻蚀速率和刻蚀面积成反比_.

19.连续面形