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微纳光电子练习题
一、简答题:
1.套准精度的定义,套准容差的定义.大约关键尺寸的多少是
套准容差.
套准精度是测量对准系统把版图套准到硅片上图形的能力。
套准容差描述要形成图形层和前层的最大相对位移.
一般,套准容差大约是关键尺寸的三分之一。
2。亚波长结构的光学特性.
亚波长结构的光学特性:
——光波通过亚波长结构时,光的衍射消失,仅产生零级反射和透
射,等效为薄膜,可用于抗反射元件和双折射元件;
——采用空间连续变化的亚波长结构可获得偏振面的衍射,形成新
型偏振器件;
——表面等离子波亚波长光学利用表面等离子体波共振(SPR)原
理:波导,小孔增强,局域增强等
4.微电子的发展的摩尔定律是什么?何谓后摩尔定律?
集成电路芯片的集成度每三年提高4倍,而加工特征尺寸缩小
倍,这就是摩尔定律
5。单晶、多晶和非晶的特点各是什么?
单晶:几乎所有的原子都占据着安排良好的规则的位置,即晶格位
置;——有源器件的衬底
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微纳光电子练习题
非晶:如SiO,原子不具有长程有序,其中的化学键,键长和方向在
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一定的范围内变化;
多晶:是彼此间随机取向的小单晶的聚集体,在工艺过程中,小单
晶的晶胞大小和取向会时常发生变化,有时在电路工作期间也发生变
化.
6。半导体是导电能力介于___导体_____和___绝缘体_____之间
的物质;当受外界光和热作用时,半导体的导电能力___明显变
化______;_______往纯净的半导体中掺入某些杂质_______可以
使半导体的导电能力发生数量级的变化。
7。在光滑的金属和空气界面,为什么不能激发表面等离子体波?
对于光滑的金属表面,因为表面等离子体波的波矢大于光波的波矢,
所以不能激发表面等离子体波.
8。磁控溅射镀膜工艺中,加磁场的主要目的是什么?
将电子约束在靶材料表面附近,延长其在等离子体中运动的轨迹,提
高与气体分子碰撞和电离的几率
9。谐衍射光学元件的优点是什么?
高衍射效率、优良的色散功能、减小微细加工的难度、独特的光学
功能
10。描述曝光波长与图像分辨率的关系,提高图像分辨率,有哪
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微纳光电子练习题
些方法?
K1isthesystemconstant工艺因子:0。6~0.8
NA=2ro/D,数值孔径
改进分辨率的方法
增加NA减小波长减小K1
11.什么是等离子体去胶,去胶机的目的是什么?
氧气在强电场作用下电离产生的活性氧,使光刻胶氧化而成为可
挥发的CO2、H2O及其他气体而被带走;
目的是去除光刻后残留的聚合物
12.硅槽干法刻蚀过程中侧壁是如何被保护而不被横向刻蚀的?
通过控制F/C的比例,形成聚合物,在侧壁上生成抗腐蚀膜
13。折衍混合光学的特点是什么?
折衍混杂的光学系统能突破传统光学系统的许多局限,在改善系
统成像质量减小系统体积和质量等诸多方面表现出传统光学不可比
拟的优势
14.刻蚀工艺有哪两种类型?简单描述各类刻蚀工艺。
干法刻蚀:在气态等离子体中,通过发生物理或化学作用进行刻蚀
湿法刻蚀:采用液体腐蚀剂,通过溶液和薄膜间得化学反应就能够将
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微纳光电子练习题
暴露得材料腐蚀掉
15。微纳结构光学涉及三个理论领域,其中标量衍射理论适用于
设计___d=10λ___的微纳光学器件;矢量衍射理论适用于设
计___d~λ__的微纳光学器件;等效介质折射理论适用于设计
__d〈=λ/10__的微纳光学器件.
16.在紫外光刻中,正性光刻胶曝光后显影时将被__溶解___,
负性光刻胶曝光后显影时将被__保留下来__。
17。光刻中,g线波长是指_436_nm,i线是指_365_nm.
18.干法刻蚀中的负载效应是指__刻蚀速率和刻蚀面积成反比_.
19.连续面形
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