光电式传感器技术1.pptVIP

图3.33光电二极管结构原理图无光照时，处于反偏二极管工作在截止状态，只有少数载流子〔？〕在反偏电压作用下形成暗电流。光照到PN结时，光子把能量传给共价键上的束缚电子，使局部电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，在反偏电压和内电场的作用下形成光电流(反偏电压与内电场同向〕。光电二极管图示符光电二极管和光电三极管光电二极管具有一个PN结，光电三极管具有二个PN结.光电三极管因输入信号为光信号，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。光电二极管与光电三极管外壳形状根本相同，其判定方法如下：遮住窗口，选用万用表R*1K挡，测两管脚引线间正、反向电阻，均为无穷大的为光电三极管。正、反向阻值一大一小者为光电二极管。光电池光电池:利用光生伏特效应直接把光能转变成电能的器件，又称为太阳能电池。光电池常用的材料是硅和硒.它是一种特殊的光电二级管,只是面积更大,做一个简单的实验，把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路，当二极管的管芯(PN结)受到光照时，你就会看到微安表的表针发生偏转，显示出回路里有电流，这个现象称为光生伏特效应。硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多，所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多。硅光电池结构示意图〔铝电极〕〔栅状受光电极〕减少反射损失,又对光电池起保护作用。减小电极对光敏面的接触电阻，增加透光面积。在一块N型硅片上用扩散的方法掺入一些P型杂质而形成一个大面积的P-N结，P层做得很薄〔1〕光照特性(1)开路电压曲线：光生电动势与照度之间的特性曲线，当照度为2000lx时趋向饱和。(2)短路电流曲线：光电流与照度之间的特性曲线。如图9-7所示。短路电流：指外接负载远小于光电池内阻时，流过负载的电流。负载电阻越小，光电流与照度的线性关系越好，且线性范围越宽。如图9-8所示。〕〔2〕光谱特性光电池在可见光谱范围内有较高的灵敏度，硒峰值波长在500nm附近，适宜测可见光。硅光电池应用的范围400nm—1200nm，峰值波长在800nm附近，因此可在很宽的范围内应用。如图9-8所示。〔3〕频率特性光电池的频率特性:指输出电流随调制光频率变化的关系。频率特性与材料、结构尺寸和使用条件等有关。由于光电池PN结面积较大，极间电容大，故频率特性较差。硅光电池具有较高的频率响应，而硒光电池那么较差。〔4〕温度特性开路电压和短路电流随温度变化的关系，如图9-10所示。由于温飘,当光电池作为测量元件时，最好能保持温度恒定，或采取温度补偿措施图9-10温度特性、光电耦合器件发光元件和光电传感器同时封装在一个外壳内组合而成的转换元件，如图11所示。光电耦合器实物示意图光电耦合器结构图放大三极管构成的高传输效率的光电耦合器高速开关构成的高速光电耦合器工作频率低于50KHZ装置9.4各类光电探测器的性能特点、电子发射探测器的特点、光电导探测器的特点、光伏探测器的特点、热探测器的特点、电子发射探测器的特点

〔1〕光电子发射探测器是利用外光电效应制成的器件，其根本原理是光辐射能使光阴极产生光电子发射.一般在真空玻壳内工作,其共同特点是,光谱响应范围窄,灵敏度高,惰性小,噪声低,供电电压高,抗震性差。真空光电管的积分灵敏度约为数十μA·/lm，充气光电管约100～300μA/lm，倍增管约为1～100A·/lm。〔2〕使用时对入射光通量范围应有选择，不宜用强光照射，光照过强时，光电线性关系会变差，而且容易使光电阴极疲劳，缩短寿命。〔3〕工作电流不宜过大，光电倍增管的工作电流为零点几微安到数十微安，工作电流过大不仅会缩短寿命，而且会烧伤阴极面，使二次发射材料性能下降，增益降低。〔4〕用于测量交变光通量时，负载电阻不宜过大，否那么频率特性变差。〔5〕为了得到较大的线性输出电压，应选用阳极特性平直线段范围宽的管子，并接以较大的负载电阻。?、光电导探测器的特点〔1〕利用光激发使半导体光电导发生变化而制作的器件称为光电导探测器。光电导探测器具有内增益的特性，内增益与器件材料性质和外加电场大小有关。〔2〕光电导探测器响应范围根据器件材料不同可从可见光、近红外延伸至远红外，而且与工作温度有关，冷却可以使光谱响应曲线的峰值和长波限向长波方向移动，同时可提高器件的灵敏度。〔3〕光电导探测器的噪声主要有热噪声、g-r噪声和1/f噪声。在常用频率范围以g-r噪声和热噪声为主，降低器件工作温度可以大大减小噪声。〔4〕光电导探测器是均质型器件，没有极性之分，工作时必须外加偏压〔偏流〕，并应注意选择正确工作温度和最正确偏压〔偏流〕，以便充分发挥器件性能。〔5〕光电