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摘要
摘要
带隙作为半导体氧化物的固有电子性质，测定简便、调控灵活，被广泛认为
是决定光催化剂活性的关键因素。部分早期研究与本课题组近期工作均表明，半
导体氧化物的带隙与其表面热催化性能密切相关，即具有较窄带隙的半导体氧
化物通常具备更高的催化反应性能。系统探究带隙对氧化物及其负载催化剂热
催化性能影响及本质对于该类催化剂理性设计具有重要科学和实际意义。本文
采用密度泛函理论(DFT)计算探究了TiO2基催化体
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