微型计算机存储器接口技术.pptVIP

第五章微型计算机存储器接口技术;第一节存储器概述;（2）只读存储器ROM;闪存：FlashMemory;3.按在微机系统中位置分类;1.存储容量

存储容量是指存储器所能存储二进制数码的数量，

存储容量=存储单元数×每单元的比特数

例如，某存储芯片的容量为1024×4，即该芯片有1024个存储单元，每个单元4位代码。

2.存取速度

存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间，也称为访问时间。

存取速度也可用存取周期或数据传输速率来描述.;3.功耗和体积

功耗通常是指每个存储元消耗功率的大小，单位为微瓦/位（μW/位）或者毫瓦/位（mW/位）

体积和功耗越小越好.

4.可靠性

可靠性一般是指对电磁场及温度变化等的抗干扰能力，一般平均无故障时间为数千小时以上。

;三、内存芯片的基本组成;①地址译码器：

接收来自CPU的n位地址，经译码后产生2n个地址选择信号，实现对片内存储单元的选址。

②控制逻辑电路：

接收片选信号CS及来自CPU的读/写控制信号，形成芯片内部控制信号，控制数据的读出和写入。

③数据缓冲器：

寄存来自CPU的写入数据或从存储体内读出的数据。

;存储体中存储元的排列方式;一、静态RAM（SRAM）;常用的SRAM芯片有:

Intel公司生产的2114、2128、6116、6264、62256等。

容量:1K×4,1K×8,2K×8,…512K×8

现以2114芯片为例对SRAM的芯片特性和接口方法进行介绍。;符号;2.内部结构;?A0~A7：地址信号的输入引脚，用来分时接收CPU送来的8位行、列地址；

?RAS：行地址选通信号输入引脚，低电平有效，兼作芯片选择信号。当为低电平时，表明芯片当前接收的是行地址；

?CAS：列地址选通信号输入引脚，低电平有效，表明当前正在接收的是列地址(此时应保持为低电平)；

?WE：写允许控制信号输入引脚，当其为低电平时，执行写操作；否则，执行读操作。

?DIN：数据输入引脚；

?DOUT：数据输出引脚；?VDD：十5V电源引脚；

?Css：地；

?N/C：未用??脚;2.Intel2164的内部结构;目前广泛使用的典型EPROM芯片有Intel公司生产的2716、2732、2764、27128、27256、27512等;

其容量分别为2K×8位至64K×8,512K×8位;

封装形式:前两种为24脚双列可直插式封装，后几种为28脚双列直插式封装。;CE/PGM;2.内部结构;EEPROM的读写操作与SRAM,EPROM基本相同，不过变成写入的时间较长，写入一个字节需1-5ms。在大量的内容需要修改时，花费时间较多。

因EEPROM是非易失存储器，而且可以在线擦除和写入，因而非常适合在嵌入式系统中用于一些偶尔需要修改的少量的参数。

三、闪速存储器;在微型系统中，CPU对存储器进行读写操作，首先要由地址总线给出地址信号，选择要进行读/写操作的存储单元，然后通过控制总线发出相应的读/写控制信号，最后才能在数据总线上进行数据交换。

所以，存储器芯片与CPU之间的连接，实质上就是其与系统总线的连接，包括：

?地址线的连接；

?数据线的连接；

?控制线的连接；

在连接中要考虑的问题有以下几个方面：;一、存储器接口应考虑的几个问题

1.存储器与CPU之间的时序配合;2.CPU总线负载能力;3.存储芯片的选用：包括存储器容量及存储器空间的安排;存储器芯片类型的选择要根据不同的要求来选用;1.要求：

系统对存储器的要求是容量大、速度快、成本低，但这三者在同一个存储器中不可兼得。

2.解决：

采用分级存储器结构，通常将存储器分为高速缓冲存储器、主存储器和外存存储器三级。;中

央

处

理

器;外存;硬盘驱动器;;;光盘驱动器;Theend!