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本发明提供了一种集成电路MOS管的器件结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底顶部设有外延层，所述外延层顶部两侧设有源极区/漏极区，所述外延层两侧设有浅沟槽隔离结构，所述外延层顶部设有下金属硅化物层，所述下金属硅化物层顶部设有多晶硅层，所述多晶硅层外侧设有侧墙结构，所述多晶硅层顶部设有上金属硅化物层；本发明通过设置的第一应力衬垫层、外延半导体层、第二应力衬垫层和本征硅层有效的控制了杂质类型和浓度，总体性能提高，降低了集电极电阻，使器件速度变快，同时通过在多晶硅层表面设置的金属硅化物层，有效降低了栅极
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117438471A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202311416124.3H01L21/336(2006.01)
(22)申请日2023.10
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