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关于FRD扩铂工艺的调查报告

近年来，快恢复二极管制造工艺提高器件开关速度的方法是通过减小器件少子寿命，

在器件内部引入复合中心来实现，目前主要有四种方法：1）掺金；2）电子辐照；3）掺铂；

4)扩铂+吸收技术,第一种掺金工艺，掺金器件能级较深，高温特性较差，且金在硅中存在

凝聚效应，随温度下降，部分金原子会凝聚成团，不能起复合中心的作用，而电子辐射感生

生的缺陷不稳定，制成的器件长期稳定性不好，而且成本较高。由于铂在硅中不存在凝聚效

应，且扩散形成的替位原子是稳定的原子缺陷，因此器件的高温稳定性好。长期可靠性好，

同时铂在硅中具有远离禁带中央的理想能级位置，所以扩铂器件的漏电流非常低，但通态电

压高。最先进的方法是轻离子辐照，同时铂汲取的局域寿命控制技术,但目前我国目前还不

能很好采用轻离子辐照，下面就针对三种带铂扩散工艺进行说明:

工艺1(传统的窄基区工艺):原始片使用FZ单晶材料

选择硅片→硅片清洗→磷预淀积→单面喷砂（减薄）→硼扩散及磷再分布→双面喷砂→

氮气或氧气退火（需要时）→铂扩散及激活处理（需要时）→表面腐蚀处理和清洗→双面镀

金属（电极）→晶圆划片→分片、清洗、包装。生产制程概述如下:

1)原始N型硅片电阻率35-40Ω·cm（电阻率有分组）、硅片厚度270±5um；

2)磷预淀积在1220℃下2小时扩散源—》Filmtronics公司P60纸质源，扩散后磷

表面方块电阻0.1Ω/□、Xjn≈20um；

3)背面喷砂去除约15um的厚度；

4)硼扩散及磷再分布1250℃、35小时，★扩散源—》美国Filmtronics公司B40纸质源硼，

扩散后表面方块电阻0.1Ω/□、XjP≈90um、Xjn≈60um,基区宽度大约100um左右；

5)双面喷砂去除约10um的扩散氧化层；

7)扩散片的磷面进行旋转涂敷铂源(铂源采用的是Pt920液态源)；

8)铂扩散在920℃下60分钟（温度、时间有分组）；

☆9)激活加热（吹N2气，温度不低于850℃60Min），目的是减少硅中填隙铂原子的浓度，

将提高有效复合中心浓度Nt；

10）表面腐蚀处理和清洗，双面镀金属；

上述工艺可得到反向击穿VR在1200伏以上、正向压降VF在1.15伏以下、反向恢复时

间Trr在100～120ns以内的产品电参数特性。

注意，相同Trr条件下，铂扩散温度越高，VF～Trr特性变得越差。这是因为温度升高，

晶格振动加剧，铂在硅中的浓度增加，从而体电阻增加，致使VF有所升高。因此，在确定

的基区宽度下，要得到较小的VF，在满足Trr的同时，扩散温度不宜太高；

通过该试验流程可以得到如下结论：

1)调节铂扩散温度,时间可以改变反向恢复时间Trr,TMT↑Trr↓↓,

DiffTime↑Trr↓,但在相同Trr条件下，铂扩散温度越高，VF～Trr特性变得越（TMT

↑晶格振动↑，PT浓度↑，体电阻↑，导致VF↑），因此，在满足Trr的同时，铂扩

散温度不宜过高；

2)VF-Trr特性结论如下:a)电阻率↑--VF-Trr特性变差;b)铂DiffTMT↑VF-Trr特

性变差;因此,采用较小的电阻率和较低的铂扩散温度可以改善VF-Trr特性;

3)Trr随着温度的上升，Trr呈上升趋势（温度上升，载流子浓度上升，复合能力下降）

电阻率越小,Trr温度特性越好;

4)铂扩散FRD,Trr↑IR↓,器件工作温度越高,器件反响漏电流越大,150度下漏电流是

100度工作条件的数十倍,因此,尽量避免FRD在高温下工作;

5)铂扩散工艺后加工序”激活加热”处理工艺,温度不低于850度,时间为60Min以上,可

以有效改善以下问题:a)FRDTrr的温度特性;b)Trr进一步降低;c)VF-Trr折中性改善;d)

漏电流降低;e)BV↑且为硬击穿;

☆6）该工艺流程使用原材料片为减薄后单晶片，相对外延片工艺，成本较低，但因为是

薄片工艺，在生产中碎片率会高，且在高温加热工艺过程中，会出现圆片翘曲现象，因此，

该工艺不适合大量生产；

工艺2:原始片使用外延材料

★外延片规格见下表：

我司新开发FRD外延片信息如下：