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考虑工艺波动和散射效应的纳米级CMOS互连线特性研究的开题报告

一、研究背景与意义

在纳米尺度下，电路线路的尺寸已经不再是传统工艺下设计的20nm。同时，纳米级尺寸的CMOS互连线受到工艺波动和散射效应的影响，导致它们的电性能够发生变化。而其中的一些物理性质例如缺陷、氧化层中的界面等，可能会导致互连线的增阻；同时，由于扩散、散射和优势效应等影响，阻抗可能会变化。那么，这些影响因素是如何影响互连线性能的，以及如何减轻这些影响因素，这些问题有着极大的现实意义。

二、研究内容

本文将探索工艺波动和散射效应对纳米级CMOS互连线性能的影响。具体内容如下：

1.探究互连线的工艺波动和散射效应对线路阻抗的影响，并提出降低阻抗的方法；

2.探究互连线的工艺波动和散射效应对线路传输延迟的影响，并提出降低传输延迟的方法；

3.探究互连线的工艺波动和散射效应对线路损耗的影响，并提出降低损耗的方法；

4.探究互连线的工艺波动和散射效应对线路抗噪性能的影响，并提出提高抗噪性能的方法。

三、研究方法

本文将采用以下研究方法：

1.根据纳米级CMOS互连线的特性，计算分析电路的工艺波动和散射效应对其性能的影响；

2.采用微观结构探针技术，探究互连线中的缺陷和氧化层中的界面等对电性特性的影响，并采用在芯片上测试的实验结论进行验证；

3.对比实验，加入对控制变量的设计，依据结果得出结论；

4.提出降低或消除工艺波动和散射效应的方法，并实践验证。

四、研究目标和预期成果

本研究旨在提高现代CMOS电路的电性能，并通过理论探究和实践探究，实现以下目标：

1.探究工艺波动和散射效应对纳米级CMOS互连线的影响；

2.分析互连线的电性能特性，提出减轻工艺波动和散射效应的方法；

3.通过实验验证，得到可行的结果，为纳米级CMOS互连线的设计提供理论基础和应用基础。

预期成果：本研究预期达到以下成果：

1.探究工艺波动和散射效应对纳米级CMOS互连线的影响和衰减；

2.提出不同条件下互连线的工艺参数和优化方案；

3.在现有技术方案下，提高现代CMOS电路的电性能。