Ⅲ族氮化异质结构的研究的开题报告.docxVIP

Ⅲ族氮化物半导体的自发极化及铁电体/Ⅲ族氮化异质结构的研究的开题报告

一、研究背景

Ⅲ族氮化物半导体在光电、电子等领域具有广泛应用前景，由于其具有较大的能隙以及优异的物理、化学性质，因此成为研究的热点之一。其中，铁电体/Ⅲ族氮化异质结构的研究更是备受关注，因为这种异质结构具有重要的电学和光学性质，可以应用于高性能光电器件和场效应晶体管等领域。然而，这种异质结构中的自发极化现象及其对铁电体和半导体的电学性质的影响，至今仍存在诸多疑问和争议，需要进一步深入研究。

二、研究目标

本研究旨在探究Ⅲ族氮化物半导体中的自发极化现象，并研究铁电体/Ⅲ族氮化异质结构中自发极化现象的影响。具体包括以下目标：

1.确定Ⅲ族氮化物半导体中的自发极化行为，测量自发极化强度及方向，并分析其形成机理。

2.研究铁电体/Ⅲ族氮化异质结构中的自发极化现象，并分析其对异质结构中电学性质的影响。

3.探究Ⅲ族氮化物半导体领域中铁电体/异质结构的应用前景，并提出可能的优化设计方案。

三、研究方法

本研究将采用以下方法：

1.利用第一性原理计算及全电子赝势法得到Ⅲ族氮化物半导体的晶格常数、能带结构等物理性质，并得出自发极化行为及其方向。

2.基于相干势透明边界条件下的第一性原理理论，研究铁电体/Ⅲ族氮化异质结构中的自发极化现象，并分析其对异质结构中电学性质的影响。

3.结合前期的实验数据，对比实验结果和理论计算结果，验证研究结果的可靠性，进一步提出优化设计方案。

四、研究意义

本研究有以下意义：

1.深入研究Ⅲ族氮化物半导体的自发极化行为，揭示其在半导体材料中的基本性质和影响因素，探究其电学、光学等领域的应用前景。

2.研究铁电体/Ⅲ族氮化异质结构中的自发极化现象，探索其对异质结构电学性质的影响因素，为铁电体/异质结构应用于高性能光电器件和场效应晶体管等领域提供理论依据。

3.提高我国在Ⅲ族氮化物半导体领域的技术水平和创新能力，对我国半导体产业的发展有一定推动作用。

五、研究进展计划

1.第一年：搜集相关文献资料，联系相关实验室进行合作研究，建立相关模型及计算方法，并初步进行模拟计算，得出初步结论。

2.第二年：深入进行理论计算，并结合实验数据分析，进一步完善研究结果。

3.第三年：总结分析研究结果，撰写论文，完成课题研究。