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缺陷与杂质对In在graphene上吸附影响的研究的开题报告

题目：缺陷与杂质对In在graphene上吸附影响的研究

背景：

Graphene是由碳原子组成的二维材料，其拥有极高的导电性和热导性以及优秀的力学性能，因此被广泛应用于电子学，催化剂，储氢等多个领域，包括半导体行业。与此同时，铟是一种常见的半导体材料，有较高的载流子迁移率，在电子学领域也有广泛应用。在某些情况下，铟可以被吸附在graphene表面，并形成pn结，因此对于In在graphene上吸附的研究具有重要意义。缺陷和杂质是graphene中的常见问题，然而它们对铟在graphene上的吸附行为的影响却鲜有研究。

研究目的：

本研究旨在探究缺陷和杂质对铟在graphene上的吸附行为的影响，并分析影响机制。

研究内容：

1.制备含有不同类型和数量缺陷和杂质的graphene样品。

2.运用扫描隧道显微镜（STM）对graphene样品进行表征，并确认缺陷和杂质的位置和类型。

3.用原子力显微镜（AFM）测量graphene样品的厚度和表面形貌，确保样品质量。

4.运用第一性原理计算方法确定铟在graphene上存在不同类型和数量缺陷和杂质时的吸附形式、强度和位置等。

5.分析缺陷和杂质对铟在graphene上的吸附行为的影响机制。

6.对实验和计算结果进行分析和比较。

研究意义：

本研究可以深入探究缺陷和杂质对graphene材料表现出的复杂物理、化学和电子性质，在铟在graphene上的吸附等方面研究其实用性，为相关领域的研究提供新的理论依据和科学数据。

关键词：Graphene，半导体行业，铟，缺陷，杂质，吸附