碳化硅薄膜的外延生长、结构表征及石墨烯的制备的开题报告.docxVIP

碳化硅薄膜的外延生长、结构表征及石墨烯的制备的开题报告

一、研究背景

碳化硅（SiC）是一种典型的半导体材料，具有多种优异的性能，如高温稳定性、高硬度、高热导率和高辐射稳定性等。因此，它在电子、光电、热电和化学等领域具有广泛的应用前景。

石墨烯是一种单层碳原子组成的二维材料，具有优异的电学、热学和机械性能，是目前研究最为活跃的材料之一。石墨烯的制备方法有多种，其中化学气相沉积法（CVD）是一种十分重要的方法，其制备过程需要在碳化硅表面生长一层碳化硅薄膜作为催化剂。

因此，本研究将主要关注于碳化硅薄膜的外延生长、结构表征及石墨烯的制备。

二、研究内容

（1）SiC薄膜在硅衬底上的外延生长过程研究。

将硅衬底经过表面处理后，以化学气相沉积法生长碳化硅薄膜，并研究外延生长的温度、压力、反应气氛等条件对SiC薄膜生长的影响。

（2）利用X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜等技术对SiC薄膜的结构进行表征。

对外延生长的SiC薄膜进行表征研究，分析其晶体结构、表面形貌、厚度等重要结构特征。

（3）石墨烯生长过程的分析研究。

利用CVD法在SiC表面上生长石墨烯，研究生长条件、生长过程和石墨烯形貌特征等。

三、研究意义

本研究旨在探究碳化硅薄膜的外延生长和石墨烯的制备过程，对于掌握新材料的合成方法以及二维材料的应用具有重要价值。另外，在电子器件和光电器件领域，SiC半导体已经有广泛的应用，因此对于SiC薄膜的研究也有一定的实际应用价值。