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多晶硅薄膜晶体管阈值电压模型和寄生电阻提取方法的开题报告
开题报告
题目：多晶硅薄膜晶体管阈值电压模型和寄生电阻提取方法
一、研究背景与意义
随着集成电路工艺的不断发展和制造工艺的不断提高，厚膜晶体管已经无法满足对于高密度和低功耗集成电路的要求，因此多晶硅薄膜晶体管成为了目前研究的重点。然而多晶硅薄膜晶体管由于晶粒尺寸小，接触面积少等因素的影响，使得其特性较传统晶体管复杂，阈值电压与寄生电阻等传统参数也发生了变化，因此需要研究多晶硅薄膜晶体管的特性及其模型，为制造工艺的优化提供技术支持。
本研究旨在探究多晶硅薄膜晶体管的阈值电压模型和寄生电阻提取方法，从而揭示其特性，为其设计和优化提供技术支持，同时也可以为集成电路的制造工艺提供参考和支持。
二、研究内容和方法
1.多晶硅薄膜晶体管的特性分析：通过对多晶硅薄膜晶体管的结构及制作工艺进行分析，探究其特性以及导致阈值电压和寄生电阻变化的因素。
2.阈值电压模型的研究：根据多晶硅薄膜晶体管的物理特性，建立阈值电压模型，并与实验数据进行比对，验证其准确性。
3.寄生电阻提取方法的研究：根据多晶硅薄膜晶体管的特性，研究提取其寄生电阻的方法，通过模拟和实验验证方法的可行性和精度。
4.实验验证：通过自行搭建的实验平台，获取多晶硅薄膜晶体管的电性能参数，并与模型和方法提取结果进行比对，验证研究的正确性和可行性。
三、研究计划与进度安排
1.2021年5月-6月：调研分析多晶硅薄膜晶体管制造工艺及其特性，初步建立阈值电压模型和寄生电阻提取方法的基本原理。
2.2021年7月-9月：在已有理论基础的基础上，深入研究多晶硅薄膜晶体管的阈值电压模型和寄生电阻提取方法，准备实验并收集数据。
3.2021年10月-12月：整理实验数据，对理论和实验结果进行比对和验证，修改和完善研究内容。
4.2022年1月-3月：完成论文撰写和答辩准备工作。
四、参考文献
1.J.Kwon,B.Kim,M.Lee,andK.Kim,“Thresholdvoltagemodelingforpolycrystalline-siliconthin-filmtransistorsusinganamorphous-siliconthinfilmasanactivelayer,”Appl.Phys.Lett.97,153501(2010).
2.C.Ham,Y.H.Kim,H.K.Jeon,andY.Kim,“Modelingandsimulationofparasiticresistanceinpolycrystallinesiliconthinfilmtransistors,”J.Appl.Phys.103,114502(2008).
3.D.H.Kim,D.I.Moon,H.D.Kim,andJ.S.Lee,“ExtractionofparasiticresistancesofpolycrystallinesiliconTFTsthroughfirst-orderequivalentcircuitmodeling,”IEEETrans.ElectronDevices60(4),1323–1327(2013).
4.K.KamiyaandH.Ishiwara,“Aunifiedmodelforhydrogenatedamorphousandpolycrystalline-siliconthin-filmtransistors,”IEEETrans.ElectronDevices47(12),2358–2366(2000).
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