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本发明公开一种用于碳化硅晶体生长的坩埚、生长控制系统、控制方法，涉及晶体生长技术领域，包括：外部框架，包括坩埚盖和坩埚主体，坩埚盖扣合于坩埚主体上方以形成密封腔，密封腔顶部设置籽晶托，籽晶托表面固定设置籽晶；导流环，外侧贴合于外部框架的内壁，内侧设置喇叭状通孔，喇叭口朝向坩埚主体底部，导流环顶部与籽晶托底部齐平且籽晶托的投影内切于导流环顶部圆孔的投影，导流环底部由支撑部支撑；多孔石墨筒扣设于坩埚主体的中心并由阶梯部卡合固定，并与坩埚主体间形成原料区；第一碳化硅粉料设置于原料区底部，在第一碳化硅粉
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117488397A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202311094900.2B01D46/24(2006.01)
(22)申请日2023.08.
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