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第四章场效应管基本放大电路

?

选择填空

场效应晶体管是用 控制漏极电流的。

a.栅源电流 b.栅源电压 c.漏源电流 d.漏源电压2．结型场效应管发生预夹断后，管子 。

a.关断 b.进入恒流区 c.进入饱和区 d.可变电阻区

场效应管的低频跨导g

m

是 。

常数 b.不是常数 c.栅源电压有关 d.栅源电压无关

场效应管靠 导电。

一种载流子 b.两种载流子 c.电子 d.空穴

增强型PMOS管的开启电压 。

大于零 b.小于零 c.等于零 d.或大于零或小于零

增强型NMOS管的开启电压 。

大于零 b.小于零 c.等于零 d.或大于零或小于零

只有 场效应管才能采取自偏压电路。

增强型 b.耗尽型 c.结型 d.增强型和耗尽型

分压式电路中的栅极电阻R

G

一般阻值很大，目的是 。

设置合适的静态工作点 b.减小栅极电流

c.提高电路的电压放大倍数 d.提高电路的输入电阻

源极跟随器（共漏极放大器）的输出电阻与 有关。

管子跨导g

m

源极电阻R

S

管子跨导g

m

和源极电阻R

S

某场效应管的I

DSS

为6mA，而I

DQ

自漏极流出，大小为8mA，则该管是 。

P沟道结型管 b.N沟道结型管

c.增强型PMOS管 d.耗尽型PMOS管

e.增强型NMO