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- 2024-02-06 发布于上海
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第四章场效应管基本放大电路
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场效应晶体管是用 控制漏极电流的。
a.栅源电流 b.栅源电压 c.漏源电流 d.漏源电压2.结型场效应管发生预夹断后,管子 。
a.关断 b.进入恒流区 c.进入饱和区 d.可变电阻区3.场效应管的低频跨导gm是 。
a.常数 b.不是常数 c.栅源电压有关 d.栅源电压无关
场效应管靠 导电。
一种载流子 b.两种载流子 c.电子 d.空穴
增强型PMOS管的开启电压 。
大于零 b.小于零 c.等于零 d.或大于零或小于零
增强型NMOS管的开启电压 。
大于零 b.小于零 c.等于零 d.或大于零或小于零
只有 场效应管才能采取自偏压电路。
增强型 b.耗尽型 c.结型 d.增强型和耗尽型
分压式电路中的栅极电阻RG一般阻值很大,目的是 。
设置合适的静态工作点 b.减小栅极电流
c.提高电路的电压放大倍数 d.提高电路的输入电阻
源极跟随器(共漏极放大器)的输出电阻与 有关。
管子跨导gm b.源极电阻RS c.管子跨导gm和源极电阻RS
某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则该管是 。
P沟道结型管 b.N沟道结型管
c.增强型PMOS管 d.耗尽型
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