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2024-02-07 发布于四川
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一种增大闪存器件刻蚀窗口的方法.pdf

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本申请公开了一种增大闪存器件刻蚀窗口的方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有氧化层、氧化层上形成有相对设置的分栅结构，两个分栅结构之间间隔有字线区域，分栅结构靠近字线区域的一侧形成有侧墙结构；在字线区域、分栅结构和侧墙结构上方沉积字线多晶硅；采用无掩膜刻蚀工艺，同步刻蚀字线多晶硅顶部、侧墙结构顶部以及分栅结构的顶部，且剩余的字线多晶硅、侧墙结构和分栅结构三者顶部平齐；采用光刻和刻蚀工艺刻蚀分栅结构，形成闪存元胞。本申请通过上述方案，能够解决相关技术中CMP工艺过程带来的硬掩膜顶部形貌波动，增大了控

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117529107A

(43)申请公布日2024.02.06

(21)申请号202311395472.7

(22)申请日2023.10.25

(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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