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一种能抑制因电子与空穴复合产生的光引起密封树脂劣化的碳化硅半导体装置及其制造方法。碳化硅半导体装置具备：第一导电型的第一半导体区，从有源区遍及到终端区地设于半导体基板的内部；第二导电型的第二半导体区，在有源区中设于第一主面与第一半导体区之间；元件结构，包括第一半导体区与第二半导体区之间的第一pn结，供通过第一pn结的电流流通；有源区的外周部，形成第二导电型外周区，并形成第二导电型外周区与第一半导体区之间的第二pn结，第二导电型外周区在有源区中设于第一主面与第一半导体区之间并包围元件结构周围。在第
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117525040A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202310769944.4H01L21/56(2006.01)
(22)申请日2023.06.
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