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本公开涉及在有源基元区和无源基元区中都具有反掺杂区的功率半导体装置，其包括：沟槽栅极结构，位于半导体基底的有源基元区中并且延伸到与有源基元区邻接的无源基元区中；电绝缘材料，覆盖沟槽栅极结构；第一接触器开口，位于有源基元区中的相邻沟槽栅极结构之间的电绝缘材料中；第二接触器开口，位于电绝缘材料中，沿垂直方向与无源基元区中的沟槽栅极结构对准；第一反掺杂区，位于相邻沟槽栅极结构之间并且沿垂直方向与第一接触器开口对准；第二反掺杂区，位于无源基元区中的沟槽栅极结构下面并且沿垂直方向与第二接触器开口对准；第一
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117524875A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202310967760.9
(22)申请日2023.08.02
(30)优先权数据
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