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一种短沟道屏蔽栅沟槽型MOSFET结构及制造方法。涉及半导体技术领域。包括如下主要步骤：S100，提供衬底，并设置外延层于衬底上；S200，定义形成沟槽并生长第一氧化层；S300，在沟槽内填充屏蔽栅多晶硅，并回刻屏蔽栅多晶硅使屏蔽栅多晶硅的顶表面低于外延层的上表面；S400，在屏蔽栅多晶硅的上表面沉积第二氧化层；沟槽内第二氧化层的顶面位于第一氧化层的上方；S500，刻蚀第二氧化层，在沟槽内形成栅极槽，在栅极槽内制作栅极，并在栅极上表面制作第三氧化层；本发明降低了器件开关损耗；以及可控的和相对较长
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117542735A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202311495328.0
(22)申请日2023.11.10
(71)申请人扬杰科技（无锡）
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