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一种提高安全工作区的MOSFE及其制备方法.pdfVIP

一种提高安全工作区的MOSFE及其制备方法.pdf

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    一种提高安全工作区的MOSFE及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括以下步骤：S100，在衬底上依次形成外延层和硬掩膜；S200，在硬掩膜上刻蚀延伸至外延层内的沟槽，形成沟槽后去除硬掩膜；S300，在外延层沟槽内生长场介质层，并在沟槽内填充源极多晶硅；S400，去除表面以及侧壁的场介质层；S500，沟槽表面氧化形成栅极氧化硅，并在沟槽内的栅极氧化硅上淀积栅极多晶硅一；S600，进行体区注入以及退火工艺；S700，淀积栅极多晶硅二，刻蚀定义出有源区，进行有源区的离子注入与退火工艺，形成源极；S80

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117542736A

    (43)申请公布日2024.02.09

    (21)申请号202311495330.8

    (22)申请日2023.11.10

    (71)申请人扬杰科技（无锡）有限公司

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