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本申请公开了一种半导体器件的清洗方法及半导体器件，所述清洗方法包括：控制第一体积的清洗剂循环流动，对晶圆进行清洗，并且每隔第一预设时间向所述清洗剂中添加第二体积的水，其中，所述第二体积V2与所述第一体积V1之间的关系为：V2＝(0.0002～0.0003)V1。本申请通过定期向清洗剂中补充水，可以确保清洗剂组分的稳定性，以确保完全清洗掉聚合物和颗粒，同时能够避免沟槽侧壁的形貌被进一步刻蚀。本清洗方法可以提高清洗剂的循环使用次数，从而可以降低清洗剂的更换频次。此外还可以维持循环泵转速相对稳定，避免
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117542726A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202311643655.6
(22)申请日2023.12.01
(71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司
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