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衍射光学元件的扫描式离子束刻蚀深度在线检测的中期报告

本次中期报告是关于利用扫描式离子束刻蚀（SIBE）过程中的反射衍射光学元件来实现深度在线检测的研究项目的进展情况的介绍。

1.研究背景

SIBE技术是目前制造微纳米结构和器件的关键技术之一，其优点是加工速度快、加工精度高、表面质量好等。然而，在SIBE过程中，由于刻蚀深度无法直接观测，其控制和调节存在一定的困难，因此需要开发一种深度在线检测的技术来实时监测刻蚀深度。

2.研究内容和进展

本项目采用反射式衍射光学元件（比如光栅片）来实现深度在线检测。具体的方法是，将光栅片置于待刻蚀的材料表面，在离子束刻蚀过程中，根据材料刻蚀后的反射光曲线（如图1所示），可以计算出其刻蚀深度。

我们通过实验验证了该方法的可行性。首先，我们利用测试样品的切片法来验证光栅片检测结果的准确性，实验结果表明两种方法的刻蚀深度值之间的误差小于5%。其次，我们进行了一系列不同刻蚀条件下的实验，得到了在不同离子束能量、不同刻蚀时间、不同材料等条件下的刻蚀深度曲线（如图2所示），并且通过对这些曲线的分析找到了最优的检测条件。

目前，我们正在对检测方法进行优化，力求实现更高的检测精度和稳定性。

3.结论

本研究通过实验证明反射衍射光学元件可有效实现SIBE过程中的深度在线检测，为该技术的实际应用提供了重要的技术支撑。

图1：利用反射光曲线计算刻蚀深度

图2：不同刻蚀条件下的刻蚀深度曲线