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《固体物理》练习题一

一、填空题

1.六角密堆结构是（六角）晶系，一个六角晶胞中有（6）个原子。

2.晶体的缺陷中典型热缺陷有(夫伦克尔缺陷和肖脱基缺陷)。

3.绝对零度时，在波矢空间中被电子占据状态和不被电子占据状态的分界面称为（费

米面），所对应的能量称为（费米能级）。

4.立方晶系中的体心立方晶格的倒格子结构是（面心立方）晶格．



5．如果将等体积球排成简立方结构，则刚球所占体积与总体积之比是（）．

6

6.设立方晶系的立方体的边长为a，填写下面表格。

简立方体心立方面心立方

晶胞体积a3a3a3

每个晶胞中所含

124

格点数

原胞体积a3a3/2a3/4

最近邻原子数6812

3a2a

最近邻间距a

22

二、简答题

１．有人说“晶体的内能就是晶体的结合能”，对吗？请解释。

答：不对。自由粒子结合成晶体过程中释放出的能量或者把晶体拆散成一个个自由粒子

所需要的能量称为晶体结合能。而晶体的内能是指原子的动能加原子间的相互作用势能之和。

0K时，原子还存在零点振动能。但零点振动能与原子间的相互势能的绝对值相比小得多，

所以在0K时原子间的相互势能的绝对值近似等于晶体的结合能。

２．请解释什么是布洛赫电子和布洛赫波。

答：布洛赫电子亦称“晶体电子”。晶体是由许多原子按周期性排列所构成，故晶体中电子受

到周期性原子势场作用，其波函数被晶格周期势场调制，变成由周期函数所调制的平面波，

称为布洛赫波。

３．试解释本征半导体与绝缘体能带结构的基本特征。

解：在低温下，本征半导体的能带与绝缘体的能带结构相同，但本征半导体的禁带较窄，禁

带宽度通常在2个电子伏特以下。由于禁带窄，本征半导体禁带下满带顶电子可以借助热激

发，跃迁到禁带上面空带的底部，使满带不满，空带不空，二者都对导电有贡献。

4．两种元素形成化合物时，原子电负性差别大的元素在形成化合物过程中易于形成什么结构?差别小的情

况呢？

原子电负性的差别大的形成离子晶体，差别小的易形成分子晶体。

5．什么是刃位错？与小角晶界的关系如何？

答：晶体中的一种线缺陷。主要形成机制是滑移，位错线运动方向与滑移方向相同，好似晶

体中嵌入半个原于平面，在原子平面的中断处就是一个刃位错。小角晶界可以看作是一系列

刃位错的组合。

6．试解释本征半导体与金属材料能带结构的基本特征。

答：对于导体材料，晶体能带中除了满带外，存在不满带，其价电子能带是不满带。对于本

征半导体，晶体能带中除了满带外，就是空带，而且，最高的满带与最低的空带之间的禁带

宽度较较窄。满带电子是不导电的，而不满带电子可以导电，导体之所以能导电，是因为存

在不满带。

三、画图题

１．请在下面两个立方体中画出立方晶系的（００１）和（０１１）晶面．

OO

O