变频器培训——【精品资源汇】.pdf

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

变频器培训

变频器:

将电网电压提供的恒压恒频转换成电压

和频率都可以通过控制改变的转换器,使电

动机可以在变频电压的电源驱动下发挥更好

的工作性能。

主要的公式

公式:n=60f

2p

u=iR+eR为电枢绕组内阻,e为旋转电动势

f:旋转速度;N:线圈匝数;

u=iR+4.44fN

:磁通

Km:系数;:磁通;:电枢电流

Tm=KmIaIa

TMnM

P

9550

晶闸管的结构与工作原理

常用晶闸管的结构

螺栓型晶闸管晶闸管模块

平板型晶闸管外形及结构

(C)

1.4典型全控型器件·引言

常用的典型全控型器件

GTR、电力MOSFET和IGBT等器件

的常用封装形式。

(B)

1.4.3电力场效应晶体管

电力MOSFET的结构

b)a)

图1-19电力MOSFET的结构和电气图形符号

是单极型晶体管。

导电机理与小功率MOS管相同,但结构上多采用垂直

导电结构,又称为VMOSFET。

采用多元集成结构,不同的生产厂家采用了不同设计。

图a)为垂直导电双扩散结构,即VDMOSFET。

(B)

绝缘栅双极晶体管

1)IGBT的结构和工作原理

三端器件:栅极G、集电极C和发射极E。

IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区,具有很强的通

流能力。

图1-22IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号

a)内部结构断面示意图b)等效电路

(B)c)简化等效电路d)电气图形符号

功率模块与功率集成电路

例:部分功率模块、IPM、电力半导体器件及驱动电路

(A)

单相桥式逆变电路

逆变电路最基本的工作

原理——改变两组开关

切换频率,可改变输出

交流电频率。

阻感负载时,io相位滞

后于uo,波形也不同a)

。uo

电阻负载时,负载电流

i

io和uo的波形相同,o

相位也相同。t1t2t

S1~S4是桥式电路的

4个臂,由电力电子器b)

文档评论(0)

ljszhw1972 + 关注
实名认证
内容提供者

天津大学硕士、一级建造师,愿与大家共享经验与文档

版权声明书
用户编号:7153166103000005

1亿VIP精品文档

相关文档