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- 2024-02-14 发布于四川
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本发明涉及存储器技术领域，具体涉及一种基于闪存的模拟EEPROM读写方法，包括：信号连接的闪存和随机存储器；闪存预先划分有数据映射区块、地址映射区块和状态区块；读写方法包括：S1：当接收到输入的操作指令时，将地址映射区块中的地址映射数据写入随机存储器，同时获取目标地址和操作类型；S2：自随机存储器中获取地址映射数据；S3：根据地址映射数据和操作类型对数据映射区块进行写入或读取，并对地址映射区块和状态区块进行更新。有益效果在于：通过对扇区划分进行改进，实现了通过较小容量对EEPROM的有效模拟；同
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117555478A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311360443.7
(22)申请日2023.10.19
(71)申请人苏州琪埔维半导体有限公司
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