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本发明适用于材料制备相关领域，提供了一种富钼型碳化钼电极的制备方法及应用，所述富钼型碳化钼电极的制备方法包括以下步骤：步骤1：将金属钼片在空气气氛中氧化；步骤2：将氧化后得到的氧化钼片埋覆于碳源中在惰性气氛下碳化；步骤3：将碳化后的样品置于磁控溅射仪溅射一层金属钼；步骤4：将溅射后的样品在惰性气氛中进行二次热处理制得成品，本发明以金属钼片作为原料，通过氧化‑碳化‑二次碳化的方式制备出了富钼型碳化钼电极，凭借钼/碳化钼异质结构两侧的电子结构优化，形成富钼型碳化钼，削弱碳化钼对“H”的过强吸附；利用
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117552034A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311531506.0C23C14/18(2006.01)
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