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集成电路工艺技术讲座
第四讲
扩散和热氧化
IC工艺原理技术应用扩散和热氧化
扩散和氧化－目录
•扩散
•扩散基本规律
•扩散技术
•扩散层的检测
•热氧化
•热氧化机理和规律
•氧化膜性质及检测
•氧化扩散工艺模拟
IC工艺原理技术应用扩散和热氧化
扩散
•扩散工艺－－半导体制造中最基本的掺杂手段，
高温下将杂质导入点阵，或形成一定分布，改
变半导体导电性质．
•双极IC的埋层，隔离，基区，发射区，MOSIC
的阱，源漏都要用到扩散．
•杂质导入方式
从气态或液态化学源中扩散气相掺杂
从掺杂氧化物或乳胶源中扩散固－固扩散
离子注入然后退火，扩散
IC工艺原理技术应用扩散和热氧化
扩散基本理论
•扩散方程
•低浓度时扩散方程的解
•扩散层薄层电阻
•电场的影响
•扩散的微观理论
IC工艺原理技术应用扩散和热氧化
扩散方程
•j=-DdN/dxFick第一定律
A
j
j+dj
xx+dx
在间隔dx的二平面间，通过的净物质流Adj,
应等于空间(Adx)产生粒子速率(dN/dt)(Adx)
AdxdN/dt=-Adj
IC工艺原理技术应用扩散和热氧化
扩散方程
•N/t=/x(DN/x)Fick第二定律
•D（扩散系数）一般是温度和浓度的函
数，低浓度扩散时仅为温度的函数，
•低浓度时的扩散系数
D=Doexp(-Eo/KT)一定温度下为常数
•低浓度时的扩散方程
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N/t=DN/x
IC工艺原理技术应用扩散和热氧化
低浓度扩散（本征扩散）
93
100n＝9.65x10cm(RT)
i
n=5x1018cm3(1000C)
i
－
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