电子教材 5.1-4 光敏管原理及应用.docVIP

《传感器与检测技术》—电子教材

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光敏管原理及应用

一、光敏二极管、光敏晶体管

1.工作原理

光敏二极管、光敏晶体管的工作原理基于内光电效应。

光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件，但在结构上有其特殊的地方。光敏二极管的结构模型和符号、基本电路及外形如图5-8所示。光敏二极管的PN结装在透明管壳的顶部，可以直接受到光的照射。使用时要反向接入电路中，即P极接电源负极，N极接电源正极。无光照时，与普通二极管一样，反向电阻很大，电路中仅有很小的反向饱和漏电流，称为暗电流。当有光照射时，PN结受到光子的轰击，激发形成光生电子-空穴对，因此在反向电压作用下，反向电流大大增加，形成光电流。光照越强，光电流越大，即反向偏置的PN结受光照控制。

图5-8光敏二极管

光敏晶体管和普通品体管的结构相类似。不同之处是光敏晶体管必须有一个对光敏感的PN结作为感光面，一般用集电结作为受光结，因此，光敏晶体管实质上是一种相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通品体管。其结构模型、基本电路、符号及外形如图5-9所示。

图5-9光敏晶体管

当入射光子在基区及集电区被吸收而产生电子空穴对时，便形成光电流。由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了β倍的电流信号。光敏品体管的结构同普通品体管一样，有PNP型和NPN型。在电路中，同普通品体管的放大状态样，集电结反偏，发射结正偏。反偏的集电结受光照控制，因而在集电极上则产生β倍的光电流，所以光敏晶体管比光敏二极管有着更高的灵敏度。

2.基本特性

(1)光照特性从图5-10所示的光敏三极管和光做晶体管的光照特性可以看出，光敏二极管的光电流与光照度成线性关系。而光敏品体管光照特性的线性没有二极管的好，而且在照度小时，光电流随照度的增加而增加得较小，即其起始要慢。当光照足够大时，输出电流又有饱和现象(图中未画出)，这是由于晶体管的电流放大倍数在小电流和大电流时都下降的缘故。光敏晶体管的曲线斜率大，其灵敏度要高。

(2)光谱特性光敏二极管的光谱特性如图5-11所示。光敏二极管在入射光照度一定时，输出的光电流(或相对灵敏度)随光波波长的变化而变化。一种光敏二极管只对一定波长的入射光敏感，这就是它的光谱特性。由曲线可以看出，不管是硅管或锗管，当入射光波长增加时，相对灵敏度都下降。从曲线还可以看出，不同材料的光敏二极管，其光谱响应峰值波长也不同。硅管的峰值波长为0.8μm左右，锗管的为1.4μm，由此可以确定光源与光电器件的最佳匹配。由于锗管的暗电流比硅管大，因此锗管性能较差。故在探测可见光或赤热物体时，都用硅管;但对红外光进行探测时，采用锗管比较合适。

图5-10光敏晶体管的光照特性图5-11光敏晶体管的光谱特性

(3)伏安特性图5-12所示为光敏二极管的伏安特性。由于光敏二极管反向偏置，所以它的伏安特性在第三象限。流过它的电流与光照度成正比(间隔相等)，而基本上与反向偏置电压UD无关。当UD=0时，只要有光照，就仍然有电流流出光敏二极管，相当于光电池，只是由于其PN结面积小，产生的光电效应很弱。光敏二极管正常使用时应施加1.5V以上的反向工作电压。

图5-13所示为光敏晶体管的伏安特性，与一般晶体管在不同基极电流下的输出特性相似，只是将不同的基极电流换作不同的光照度。光敏晶体管的工作电压一般应大于3V。若在伏安特性曲线上作负载线，可求得某光强下的输出电压Uce。

图5-12光敏二极管伏安特性图5-13光敏晶体管伏安特性

（4）响应时间硅光敏二极管的响应时间约为10-6～10-7左右，光敏晶体管的响应速度则比相应的二极管大约慢一个数量级，而储管的响应时间要比硅管小一个数量级。因此在要求快速响应或人射光调制频率(明暗交替频率)较高时，应选用硅光敏二极管

由于光敏晶体管基区的电荷存储效应，所以在强光照和无光照时，光敏晶体管的饱和与截止需要更多的时间，所以它对入射调制光脉冲的响应时间更慢，最高工作频率更低。

(5)温度特性温度变化对亮电流影响不大，但对暗电流影响非常大，并且是非线性的。在微光测量中有较大误差。硅管的暗电流比锗管小几个数量级，所以在微光测量中应采用硅管。另外由于硅光敏晶体管的温漂大，所以尽管光敏晶体管灵敏度较高，但是在高准确度测量中应选择硅光敏二极管。可采用低温漂、高准确度的运算放大器来提高测量准确度。

二、光敏二极管测量电路

光敏二极管通常有两种工作模式:光电导模式