(2.7)--第三章《二极管及其基本电路》模拟电子技术.pptVIP

在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。(1)点接触型二极管(a)点接触型二极管的结构示意图PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。半导体二极管的结构(2)面接触型二极管PN结面积大，用于工频大电流整流电路。(b)面接触型半导体二极管的结构(3)平面型二极管(c)平面型(4)二极管的代表符号(symbol)anodecathode往往用于集成电路制造艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。半导体二极管的结构PN结的伏安特性正向特性反向特性反向击穿特性二极管的伏安特性(volt-amperecharacteristic)曲线的表示式：硅二极管2CP10的V-I特性二极管的参数1.最大整流电流IF二极管长期运行时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.反向击穿电压VBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半。3.反向电流IR指管子未击穿时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。4.二极管的极间电容（parasiticcapacitance）二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容(barrier（depletion）capacitance)CB和扩散电容(diffusioncapacitance)CD。势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。二极管的参数4.二极管的极间电容扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P区的少子（电子）在P区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。P+-NCB在高频和反向偏置时明显。CD在正向偏置时明显。二极管的参数5.微变电阻rDiDvDIDVDQ?iD?vDrD是二极管特性曲线上工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比：显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。二极管的参数二极管基本电路及其分析方法二极管电路的简化模型分析方法1.理想模型（idealdiode)vDiD当电源电压远比二极管的管压降大时，利用此模型作近似分析。iDvD2.恒压降模型（offsetmodel)二极管导通后，认为其压降是恒定的，典型值为0.7V，只有当二极管的电流大于等于1mA时，才是正确的。vDiDvDiDVth二极管电路的简化模型分析方法3.折线模型(piecewiselineardiodemodel)认为其压降不是恒定的，而是随着二极管电流的增加而增加，用一个电池与一个电阻的串联来进一步的近似。rD近似为200Ω。vDiDVth≈0.5VvDVthrDiD二极管电路的简化模型分析方法4.小信号模型(smallsignalmodel)当二极管在其伏安特性的某一小范围内工作，可以把伏安特性看出一条直线。小信号模型的微变等效电阻rd＝26（mv）/ID。vDiDΔvDΔiDΔiDΔvDrD二极管电路的简化模型分析方法应用举例1.整流电路二极管当作理想元件处理，即二极管的正向导通电阻为零（忽略二极管正向压降），反向电阻为无穷大DRvOvs+-vsvO2.二极管的静态工作情况分析理想模型（R=10k?）（1）VDD=10V时恒压模型（硅二极管典型值）折线模型（硅二极管典型值）设（2）VDD=1V时（自看）+-iDVDDvDR应用举例*半导体的基本知识导体(conductor)：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。绝缘体(semiconductor)：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体(insulator)：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。半导体材料半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。半导体材料半导体的共价键结构GeSi硅和锗的共价键(cov