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清华大学材料学院xxxxxxxxxxxxx

《材料分析与表征》

俄歇电子能谱(AES)试验报告

学院：材料学院班级：xxx姓名：xx学号：xxxxxxxx

一．试验目的

1.了解俄歇电子能谱的背景学问和根本原理；

2.了解俄歇电子能谱的根本试验技术及其主要特点；

3.了解俄歇谱仪的根本构造和操作方法；

4.了解俄歇电子能谱在材料外表分析中的应用。

二．试验原理

1.AES简介

俄歇电子能谱，英文全称为AugerElectronSpectroscopy，简称为AES，是

材料外表化学成分分析、外表元素定性和半定量分析、元素深度分布分析及微区

分析的一种有效的手段。俄歇电子能谱仪具有很高外表灵敏度，通过正确测定和

解释AES的特征能量、强度、峰位移、谱线外形和宽度等信息，能直接或间接

地获得固体外表的组成、浓度、化学状态等信息。

当原子的内层电子被激发形成空穴后，原子处于较高能量的激发态。这一状

态是不稳定的，它将自发跃迁到能量较低的状态——退激发过程，存在两种退激

发过程：一种是以特征X射线形式向外辐射能量——辐射退激发；另一种通过

原子内部的转换过程把能量交给较外层的另一电子，使它抑制结合能而向外放射

——非辐射退激发过程(Auger过程)。向外辐射的电子称为俄歇电子。其能量仅

由相关能级打算，与原子激发状态的形成缘由无关，因而它具有“指纹”特征，可

用来鉴定元素种类。

2.俄歇效应

处于基态的原子假设用光子或电子冲击激发使内层电子电离后，就在原子的

芯能级上产生一个空穴。这一芯空穴导致外壳层收缩。这种情形从能量上看是不

稳定的，并发生弛豫，K空穴被高能态L的一个电子填充，剩余的能量(E-

1K

EL1)用于释放一个电子，即俄歇电子。如图1所示。

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图1固体KLL俄歇作用过程示意图[1]

俄歇过程是一三电子过程，终态原子双电离。俄歇电子用原子中消灭空穴的

X射线能级符次序表示，俄歇过程可以用图2表示：

图2俄歇过程图示

通常俄歇过程要求电离空穴与填充空穴的电子不在同一个主壳层内，即

W≠X。假设W=X≠Y，称为C-K跃迁(Coster-Kronig跃迁)，(pi)，如1

L

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M；假设

2

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W=X=Y称为超C-K跃迁，(piqi)，如NNN。

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俄歇过程依据初态空位所在的主层能级的不同，可分为不同的系列，如K

系列L系列，M系列等。同一系列中又可按参与过程的电子所在主壳层的不同

分为不同的群，如K系列包含KLL、KLM、KMM等俄歇群。每一群又有间隔

很近的假设干条谱线组成，对于KLL俄歇系列，依据其终态，可以分为：KLL

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