一种调控锂枝晶生长的方法.pdfVIP

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2024-02-21 发布于四川
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本发明涉及锂枝晶生长技术领域，具体涉及一种调控锂枝晶生长的方法，包括以下步骤：(1)将含硫噻吩单体与炔烃混合，所述含硫噻吩单体与炔烃的摩尔比为3：(3.5‑4.5),在室温下持续搅拌分散均匀5‑6h,得到第一混合溶液；(2)将所述第一混合溶液放置于50‑70℃环境温度中，加入1‑3％的氧化剂进行聚合反应，得到第二混合溶液；(3)将第二混合溶液均匀喷涂在第一集流体表面；(4)在50‑80℃干燥气氛中将所述第一集流体进行干燥后，即得第二集流体。(5)在所述第二集流体上涂布即得负极极片。通过将噻吩炔均

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117577839A

(43)申请公布日2024.02.20

(21)申请号202311456194.1

(22)申请日2023.11.03

(71)申请人运达能源科技集团股份有限公司

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