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本发明提供一种半导体晶片的评价方法，包括：制作表示评价对象的半导体晶片的厚度方向的截面轮廓的轮廓曲线；以及对上述轮廓曲线进行二次微分，评价对象的半导体晶片为在晶片外周边缘部形成有倒角面的半导体晶片，上述轮廓曲线包括曲线部分，该曲线部分表示X轴的值与水平方向位置坐标对应，Y轴的值与垂直方向位置坐标对应，且从评价对象的半导体晶片的一个表面侧的主面的外周边缘部侧部分到外周边缘部的所述主面侧部分的区域的截面轮廓，该半导体晶片的评价方法还包括基于根据由上述二次微分得到的二次微分曲线确定的指标，评价上述主面
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN112020764A
(43)申请公布日2020.12.01
(21)申请号201980025203.7(74)专利代理机构北京北新智诚知识产权代理
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