集成电路制造设备术语.docxVIP

Ics31．220

ccsL95

中华人民共和国国家标准

GB／T40577—2021

集成电路制造设备术语Terminologyforintegratedcircuit(Ic)manufacturingequipment

2021-10-11发布

2022-05-01实施

国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会

发布

Ⅰ

犌B／犜40577—2021

目次

前言 Ⅲ

1范围 1

2规范性引用文件 1

3基础术语 1

4晶体生长加工设备 2

5掩模制造设备 5

6光刻与刻蚀设备 8

7掺杂设备 15

8薄膜淀积设备 17

9清洗设备 23

10封装设备 24

11检测设备 27

12公用部件 34

参考文献 37

索引 38

犌B／犜40577—2021

前言

本文件按照GB／T1．1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC／TC203)提出并归口。

本文件起草单位：中国电子技术标准化研究院、浙江晶盛机电股份有限公司、中电科电子装备集团有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、中微半导体设备(上海)股份有限公司、上海微电子装备 (集团)股份有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司。

本文件主要起草人：张军华、冯亚彬、曹可慰、曹建伟、裴会川、朱亮、周哲、武小娟、杜若昕、唐彩红、丁晓民、傅林坚、魏唯、田涛、刘英斌、李国平、王宏智。

Ⅲ

GB／T40577—2021

集成电路制造设备术语

1范围

本文件规定了集成电路(IC)制造设备的基本和常用术语，包括基础术语，晶体生长加工设备、掩模制造设备、光刻与刻蚀设备、掺杂设备、薄膜淀积设备、清洗设备、封装设备、检测设备的术语及公用部件术语。

本文件适用于集成电路制造设备的设计开发、生产和应用，也适用于集成电路制造设备的科研、教学和出版工作。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3基础术语

3．1

可靠性reliability

在规定的条件下，设备在一定时间内执行其预定功能的能力。

3．2

可用性availability

当需要时，设备处于可以执行其预定功能的可能性。

3．3

维修性maintainability

在规定时间内，设备保持在或恢复至能够执行其预定功能的状态的可能性。

3．4

平均故障间隔时间meantimebetwenfailure；MTBF

可修复产品两次相邻故障之间的平均时间。

注：MTBF又称为“平均无故障时间”，是衡量设备的可靠性指标，单位为“小时(h)”，是体现设备在规定时间内保

持功能的一种能力。

3．5

平均维修时间meantimetorepair；MTTR

可修复产品从出现故障到修复所需时间的平均值。

3．6

平均失效时间meantimetofailure；MTTF

系统能够正常运行的平均时间。

1

GB／T40577—2021

4晶体生长加工设备

4．1

单晶生长炉monocrystalgrowthfurnace

以高温熔化方法由原材料制备或提纯单质或化合物半导体单晶锭的设备。

4．1．1

直拉单晶炉czochralskimonocrystalgrowthfurnace

在适当的温度和工作气氛控制下，将特制的单晶籽晶与熔化于坩埚内的高纯多晶材料相接触，并在籽晶与坩埚的相对旋转中按一定速度垂直向上提拉籽晶，使熔体不断沿籽晶晶向结晶，直接拉制成单晶锭的设备。

注：又称为“切克劳斯基法单晶炉”。

4．1．1．1

磁场直拉单晶炉magneticczochralskimonocrystalgrowthfurnace

在熔化硅料的坩埚外围，施加有效磁场，抑制熔料的热对流，以控制晶体的氧、碳含量，改善晶体的微缺陷，从而达到提高晶体质量目的的直拉单晶炉。

注：磁场直拉单晶炉的磁场设备依据磁场方向可分为横向磁场、纵向磁场、钩形磁场三种类型。4．1．1．2

液封直拉单晶炉liquidencapsulatedczochralskimonocrystalgrowthfurna