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提供一种具有突出物的导电垫的半导体结构以及该半导体结构的制备方法。该半导体结构包括第一晶粒以及第二晶粒；该第一晶粒具有第一基底、第一介电层、第一导电垫、第一接合层以及第一通孔，该第一介电层设置在该第一基底上，该第一导电垫经过该第一介电层而至少部分暴露，该第一接合层设置在该第一介电层上，该第一通孔延伸经过该第一接合层并耦接到该第一导电垫；该第二晶粒具有第二接合层、第二基底以及第二通孔，该第二接合层接合到该第一接合层，该第二基底设置在该第一接合层上，该第二通孔延伸经过该第二基底与该第二接合层；其中在
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594544A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202310390853.X
(22)申请日2023.04.13
(30)优先权数据
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