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- 2024-02-24 发布于四川
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本发明涉及一种质子束流均匀度探测方法和系统,包括:测试板,其内设置有探测区、继电器区和主控FPGA,探测区内设置有与待测束斑形状面积相匹配的SiC功率器件平面阵列,继电器区内设置有继电器阵列,主控FPGA用于接收上位机发送的控制信号并对各继电器的通断状态进行控制,实现对各SiC功率器件施加阻断电压及漏电流监测;质子束辐照终端设置在测试板一侧,且质子束辐照终端的束流窗口与探测区对准,并保证其束流中心置于探测区中心的SiC功率器件上;电流测量模块用于对探测区不同位置处SiC功率器件的漏电流进行测量,
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117590450A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311581381.2
(22)申请日2023.11.24
(71)申请人中国科学院近代物理研究所
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