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- 2024-02-24 发布于四川
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本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种欧姆接触测试结构的制备方法，包括以下步骤：提供衬底层；在所述衬底层表面形成氧化层；在所述氧化层上涂覆光刻胶，经曝光、显影得到盖胶区和非盖胶区；刻蚀去除非盖胶区内裸露的氧化层；去除盖胶区内的光刻胶，得到若干间隔的氧化层；在若干间隔的氧化层以及裸露的外延层的表面形成金属层；采用湿法刻蚀对若干间隔的氧化层及其表面的金属层进行剥离，得到欧姆接触测试结构。即本发明的方案能够获取精确的欧姆接触测试结构，进而提高在线生产的产品合格率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594428A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202410071980.8
(22)申请日2024.01.18
(71)申请人西安卫光科技有限公司
地址71
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