半导体工艺与制造技术习题答案(第四章 离子注入).pdfVIP

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  • 2024-03-03 发布于上海
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半导体工艺与制造技术习题答案(第四章 离子注入).pdf

第四章离子注入与快速热处理

1.下图为一个典型的离子注入系统。

(1)给出1-6数字标识部分的名称,简述作用。

(2)阐述部件2的工作原理。

25

3

4

1

6

答:():离子源,用于产生注入用的离子;

11

2:分析磁块,用于将分选所需的离子;

3:加速器,使离子获得所需能量;

4:中性束闸与中性束阱,使中性原子束因直线前进不能达到靶室;

5:XY扫描板,使离子在整个靶片上均匀注入;

6:法拉第杯,收集束流测量注入剂量。

()由离子源引出的离子流含有各种成分,中大多数是电离的,离子束进入一个低压腔

2

体内,该腔体内的磁场方向垂直于离子束的速度方向,利用磁场对荷质比不同的离子

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