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变温霍尔效应

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摘要本实验利用范德堡法测量变温霍尔效应，在90K~300K的温度范围内测量

了碲镉汞单晶霍耳电压随温度变化的23组有效数据。而后对数据进行了处理分

析，做出了lnR-1/T图，找出了不同温度范围的图像变化特点，分析结果从

H

而研究了碲镉汞的结构特性和导电机制。

关键词霍耳效应半导体

一、引言

低温条件下，物质中原子、分子的热运动减弱，特别是接近绝对零度时，物

质处在能量的基态或低激发态，物质的电学、磁学等物理性质会发生很大变化，

而霍耳效应就是其中的一种。对通电导体或半导体施加一个与电流方向相垂直的

磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现，此即为霍耳效应。而

在不同温度下，霍耳效应具有不同的特点，霍耳系数随着温度的变化而变化。在

20世纪的前半个世纪，霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发

展，特别是在半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材

料电输运特征，是半导体材料