HF2302CI 2.3A 20V SOT23 深圳黑锋科技.pdf

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HF2302CI

20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

GeneralDescription

TheHF2302CIusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge

andoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

FeaturesApplication

VDS20VID2.8ABatteryprotection

RDS(ON)<55mΩ@VGS10VType48mΩ

(:)Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

TypicalApplicationCircuit

HF2302BITypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings(TC25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnit

VDSDrain-SourceVoltage20V

VGSGate-SourceVoltage±12V

ID@TA25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@4.5V12.8A

ID@TA70℃ContinuousDrainCurrent,VGS@4.5V11.6A

IDMPulsedDrainCurrent27.4A

PD@TA25℃TotalPowerDissipation30.9W

TSTGStorageTemperatureRange-55to150℃

TJOperatingJunctionTemperatureRange-55to150℃

RθJAThermalResistanceJunction-ambient1125℃/W

RθJCThermalResistanceJunction-Case190℃/W

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