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一种硅基光电极及其制备方法和应用.pdfVIP

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  • 2024-02-28 发布于四川
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一种硅基光电极及其制备方法和应用.pdf

    本发明公开了一种硅基光电极及其制备方法和应用，属于电极材料技术领域。本发明提供的硅基光电极的制备方法，包括以下步骤：将硅片进行沉积，得到所述硅基光电极；所述硅片包括n型硅片、p型硅片或pn型硅片中的至少一种。本发明将硅片作为光吸收基底材料，利用简单的沉积手段作为光电极的制备方法，能够极大程度地降低整体的制造和使用成本。本发明中的光电极具有高光电压、高饱和光电流和高稳定性的特征。并且，本发明的硅片可采用工业硅片，相对于传统高精硅为基底的光电极，本发明的制备成本更低，能够为光电化学水分解制氢提供一条

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117604550A

    (43)申请公布日2024.02.27

    (21)申请号202311350080.9

    (22)申请日2023.10.18

    (71)申请人澳门大学

    地址中国澳门氹仔大学

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