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第三章参考答案
[1题]设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问：
该存储器能存储多少个字节的信息？
如果存储器由512K×8的SRAM芯片组成，需要多少片？
需要多少地址作为芯片选择？
[解]
该存储器能存储220×32=220×22×8=222×8=4MB
（1024K×32）/（512K×8）=（1024/512）×（32/8）=2×4=8（片）
需要1根地址线作为片选。
A19
A18
~
A0
R/W
D31
~
D0
CSCS
CS
CS
512K×
512K×8
512K×8
[2题]已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M×8位的DRAM芯片组成该机允许的最大主存空间，并选用模板块结构形式，问：
若每个模板块为16M×64位，共需要几个模板？
每个内存条共有多少片DRAM？
（3）主存共需多少片DRAM？CPU如何选择各模块板？
[解]：
２26×64=26×220×64=64M×64=（64×1024K）×64
需要的板的块数=（64/16）×（64/64）=4（块）
每个内存条需要的4M×8位的芯片数
=（16/4）×（64/8）=32（片）
每个主存需要4X32=128（片）DRAM
板内地址为A0～A23，每个板需要一个片选，共需4个选择信号，所以用2-4译码器，即A24～A25作为译码地址线输入，产生4个板选信号。
[3题]用16K×8位的DRAM芯片构成64K×32位存储器，要求：
画出该存储器的组成逻辑图。
（2）设存储器读/写周期为0.5μs，CPU在1μs内至少要访问内存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？两次刷新最大时间间隔是多少？全部刷新一遍所需要的实际刷新时间是多少？
（1）（64K×32）/（16K×8）=（64K/16K）×（32/8）
=4（组容量扩展）×4（片堆叠）
Y3(11)
Y3(11)
A15
A14
A13
~
A0
R/W
D31
~
D0
2-4
译
码
器
Y2(10)Y1(01)
Y2(10)
Y1(01)
Y0(00)
Y0(00)
CSCSCSCS
CS
CS
CS
CS
16K×816K
16K×8
16K×8
16K×8
16K×8
（2）CPU要1μ内访问内存一次（频繁）整个存储器的平均读写与单个存储芯片的读写周期差不多，采用分散刷新方式比较合适。
16K采用128×128阵列，设刷新最大时间间隔为2ms=2000μS则刷新时间间隔
为2000/128=15.6μS,所以刷新信号周期可取15μS.
刷新一次所用时间为128*15=1920μS=1.92mS
[4题]有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM芯片组成。问：
总共需要多少DRAM芯片？
（2）此存储体组成框图。
（3）采用分散刷新方式，如果单元刷新间隔不超过8mS，则刷新周期（一行）是多少？
解：
需要(1024K/128K)×(32/8)=8(组)×4(片堆叠)=32(片)
（2）存储器组成框图
Y7(111)3-8译码
Y7(111)
3-8
译
码
器
。。。。。。
。。。。。。
A19
A18
A17
A16
~
A0
R/W
D31
~
D0
Y2(010)Y1(001)
Y2(010)
Y1(001)
Y0(000)
Y0(000)
。。。。。。
。。。。。。
CSCSCSCS
CS
CS
CS
CS
128K×8128K
128K×8
128K×8
128K×8
128K×8
(3)新周期即单芯片刷新时间间隔
128K=27×210=217=28×29=256(行)×512(列)
刷新周期=8mS/256=8000μS/256=31.25μS
[5题]要求用256K×16位SRAM芯片设计1024K×32位的存储器，SRAM芯片有两个控制端：当=0有效选中该片，当执行读操作，执行写操作。
解：
需要(1024K/256K)×(32/16)=4(组字扩展)×(2片位扩展)
A19
A18
A17
~
A0
R/W
D31
~
D0
Y3(11)2-4
Y3(11)
2-4
译
码
器
Y2(10)Y1(01)
Y2(10)
Y1(01)
Y0(00)
Y0(00)
CSCSCSCS
CS
CS
CS
CS
256K×16256K
256K×16
256K×16
256K×16
256K×16
[6题]用32K×8的EPROM组成128K×16位的只读存储器，试问：
数据寄存器多少位？
地址寄存器多少位？
总共需要多少片
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