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一种利用RPD以铟锡合金作为源反应沉积低成本ITO薄膜的方法.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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一种利用RPD以铟锡合金作为源反应沉积低成本ITO薄膜的方法.pdf

    本发明公开了一种利用RPD以铟锡合金作为源反应沉积低成本ITO薄膜的方法，将金属铟与锡放入RPD设备的坩埚中，用机械泵及分子泵将RPD腔体抽至背底真空，之后通过流量计通入氩气，并开始调节压力，调整RPD腔体内压力到稳定状态；调整电源电流并启动电源，当观察到成功启辉且辉光稳定后，通入氧气，打开挡板开始镀膜，所得即为ITO薄膜。本发明使用RPD这种设备相比磁控溅射等制备方法具有显著的成本优势，作为蒸发源的铟金属与锡金属相对于陶瓷靶材ITO具有材料价格较低的优点，本申请使用金属靶材成本约为陶瓷靶材的三

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117626187A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311428107.1C23C14/08(2006.01)

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