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半导体元件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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半导体元件及其制备方法.pdf

    本申请公开一种半导体元件及其制备方法，该半导体元件包括：一基底；一字元线结构，设置于该基底中；多个杂质区域，设置于该基底中并邻近该字元线结构；多个底部浅插塞，设置于该字元线结构上；一第一内连接层，设置于该些底部浅插塞上；多个顶部浅插塞，设置于该第一内连接层上；及多个深插塞，设置于该些杂质区域上。该些顶部浅插塞的顶面和该些深插塞的顶面实质上共面。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637680A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202310416167.5

    (22)申请日2023.04.18

    (30)优先权数据

    17/897,8982022

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